Mitsubishi Electric Corporation anunció el próximo lanzamiento de seis nuevos módulos semiconductores de potencia de la serie J3 para varios vehículos eléctricos (xEV), que incluyen un transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico de carburo de silicio (SiC-MOSFET) o un RC-IGBT (Si). (un IGBT de conducción inversa con un IGBT y un diodo en un solo chip) con diseños compactos y escalabilidad para su uso en inversores de vehículos eléctricos (EV) y vehículos eléctricos híbridos enchufables (PHEV).
Los seis productos de la serie J3 estarán disponibles para envíos de muestra a partir del 25 de marzo. Los nuevos módulos de potencia se exhibirán en la 38ª Exposición de Tecnología de Embalaje, Investigación y Desarrollo de Electrónica (NEPCON JAPAN 2024) del 24 al 26 de enero en Tokyo Big Sight, Japón. , así como otras exposiciones en Norteamérica, Europa, China y lugares adicionales.
A medida que los semiconductores de potencia capaces de convertir electricidad de manera eficiente se expanden y diversifican en respuesta a las iniciativas de descarbonización, aumenta la demanda de semiconductores de potencia de SiC que ofrecen una pérdida de energía significativamente reducida.
En el sector xEV, los módulos semiconductores de potencia se utilizan ampliamente en dispositivos de conversión de energía, como inversores para motores de accionamiento xEV. Además de ampliar la autonomía de los xEV, se necesitan módulos compactos, de alta potencia y alta eficiencia para reducir aún más el tamaño de las baterías y los inversores. Pero debido a los altos estándares de seguridad establecidos para los xEV, los semiconductores de potencia utilizados en los motores de accionamiento deben ser más fiables que los utilizados en aplicaciones industriales generales.
El desarrollo de estos productos de SiC fue parcialmente apoyado por la Organización de Desarrollo de Tecnología Industrial y Nuevas Energías de Japón (NEDO).
Fuente de Congreso de coches ecológicos
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