A Mitsubishi Electric Corporation anunciou o próximo lançamento de seis novos módulos semicondutores de potência da série J3 para vários veículos elétricos (xEVs), apresentando um transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico de carboneto de silício (SiC-MOSFET) ou um RC-IGBT (Si). (um IGBT de condução reversa com IGBT e um diodo em um único chip) com design compacto e escalabilidade para uso em inversores de veículos elétricos (EVs) e veículos elétricos híbridos plug-in (PHEVs).
Todos os seis produtos da série J3 estarão disponíveis para remessas de amostras a partir de 25 de março. Os novos módulos de potência serão exibidos na 38ª Expo de P&D de Eletrônica, Fabricação e Tecnologia de Embalagem (NEPCON JAPAN 2024) de 24 a 26 de janeiro no Tokyo Big Sight, Japão , bem como outras exposições na América do Norte, Europa, China e outros locais.
À medida que os semicondutores de potência capazes de converter eletricidade de forma eficiente se expandem e se diversificam em resposta às iniciativas de descarbonização, aumenta a procura de semicondutores de potência SiC que oferecem perdas de energia significativamente reduzidas.
No setor xEV, os módulos semicondutores de potência são amplamente utilizados em dispositivos de conversão de energia, como inversores para motores de acionamento xEV. Além de ampliar a autonomia de cruzeiro dos xEVs, são necessários módulos compactos, de alta potência e alta eficiência para reduzir ainda mais o tamanho das baterias e dos inversores. Mas devido aos elevados padrões de segurança estabelecidos para xEVs, os semicondutores de potência utilizados em motores de acionamento devem ser mais confiáveis do que aqueles utilizados em aplicações industriais em geral.
O desenvolvimento destes produtos de SiC foi parcialmente apoiado pela Organização de Desenvolvimento de Novas Energias e Tecnologia Industrial (NEDO) do Japão.
Retirado de Congresso de carros verdes
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