Mitsubishi Electric Corporation mengumumkan peluncuran enam modul semikonduktor daya Seri J3 baru untuk berbagai kendaraan listrik (xEV), yang menampilkan transistor efek medan semikonduktor oksida logam silikon karbida (SiC-MOSFET) atau RC-IGBT (Si) (IGBT konduksi terbalik dengan IGBT dan satu dioda pada satu chip) dengan desain ringkas dan skalabilitas untuk digunakan pada inverter kendaraan listrik (EV) dan kendaraan listrik hibrida plug-in (PHEV).
Keenam produk Seri J3 akan tersedia untuk pengiriman sampel mulai tanggal 25 Maret. Modul daya baru akan dipamerkan di Pameran Teknologi R&D, Manufaktur, dan Pengemasan Elektronik ke-38 (NEPCON JAPAN 2024) mulai tanggal 24 hingga 26 Januari di Tokyo Big Sight, Jepang , serta pameran lainnya di Amerika Utara, Eropa, Cina, dan lokasi lainnya.
Ketika semikonduktor daya yang mampu mengkonversi listrik secara efisien semakin meluas dan terdiversifikasi sebagai respons terhadap inisiatif dekarbonisasi, permintaan akan semikonduktor daya SiC yang menawarkan penurunan kehilangan daya secara signifikan semakin meningkat.
Di sektor xEV, modul semikonduktor daya digunakan secara luas pada perangkat konversi daya seperti inverter untuk motor penggerak xEV. Selain memperluas jangkauan jelajah xEV, modul yang ringkas, berdaya tinggi, dan berefisiensi tinggi diperlukan untuk semakin memperkecil ukuran baterai dan inverter. Namun karena standar keselamatan tinggi yang ditetapkan untuk xEV, semikonduktor daya yang digunakan pada motor penggerak harus lebih andal dibandingkan yang digunakan dalam aplikasi industri umum.
Pengembangan produk SiC ini sebagian didukung oleh Organisasi Pengembangan Teknologi Industri dan Energi Baru (NEDO) Jepang.
Sumber dari Kongres Mobil Hijau
Penafian: Informasi yang diuraikan di atas disediakan oleh greencarcongress.com secara independen dari Alibaba.com. Alibaba.com tidak membuat pernyataan dan jaminan mengenai kualitas dan keandalan penjual dan produk.
