Mitsubishi Electric Corporation ha annunciato l'imminente rilascio di sei nuovi moduli semiconduttori di potenza della serie J3 per vari veicoli elettrici (xEV), caratterizzati da un transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo e carburo di silicio (SiC-MOSFET) o da un RC-IGBT (Si) (un IGBT a conduzione inversa con IGBT e un diodo su un singolo chip) con design compatto e scalabilità per l'uso negli inverter di veicoli elettrici (EV) e veicoli elettrici ibridi plug-in (PHEV).
Tutti e sei i prodotti della serie J3 saranno disponibili per spedizioni campione dal 25 marzo. I nuovi moduli di potenza saranno esposti alla 38a edizione dell'Expo di ricerca e sviluppo elettronico, produzione e tecnologia di imballaggio (NEPCON JAPAN 2024) dal 24 al 26 gennaio al Tokyo Big Sight, in Giappone. , così come altre mostre in Nord America, Europa, Cina e altre località.
Poiché i semiconduttori di potenza in grado di convertire in modo efficiente l’elettricità si espandono e si diversificano in risposta alle iniziative di decarbonizzazione, è in aumento la domanda di semiconduttori di potenza SiC che offrano una perdita di potenza significativamente ridotta.
Nel settore xEV, i moduli semiconduttori di potenza sono ampiamente utilizzati nei dispositivi di conversione di potenza come gli inverter per i motori di azionamento xEV. Oltre ad estendere l’autonomia degli xEV, sono necessari moduli compatti, ad alta potenza e ad alta efficienza per ridurre ulteriormente le dimensioni di batterie e inverter. Ma a causa degli elevati standard di sicurezza stabiliti per gli xEV, i semiconduttori di potenza utilizzati nei motori di azionamento devono essere più affidabili di quelli utilizzati nelle applicazioni industriali generali.
Lo sviluppo di questi prodotti SiC è stato parzialmente sostenuto dalla NEDO (New Energy and Industrial Technology Development Organization) giapponese.
Fonte da Congresso Green Car
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