Mitsubishi Electric Corporation kündigte die bevorstehende Veröffentlichung von sechs neuen Leistungshalbleitermodulen der J3-Serie für verschiedene Elektrofahrzeuge (xEVs) an, die entweder über einen Siliziumkarbid-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (SiC-MOSFET) oder einen RC-IGBT (Si) verfügen. (ein rückwärtsleitender IGBT mit einem IGBT und einer Diode auf einem einzelnen Chip) mit kompaktem Design und Skalierbarkeit für den Einsatz in Wechselrichtern von Elektrofahrzeugen (EVs) und Plug-in-Hybrid-Elektrofahrzeugen (PHEVs).
Alle sechs Produkte der J3-Serie stehen ab dem 25. März zum Musterversand zur Verfügung. Die neuen Leistungsmodule werden auf der 38. Electronics R&D, Manufacturing and Packaging Technology Expo (NEPCON JAPAN 2024) vom 24. bis 26. Januar im Tokyo Big Sight, Japan, ausgestellt sowie weitere Ausstellungen in Nordamerika, Europa, China und weiteren Standorten.
Da Leistungshalbleiter, die Strom effizient umwandeln können, als Reaktion auf Dekarbonisierungsinitiativen expandieren und diversifiziert werden, steigt die Nachfrage nach SiC-Leistungshalbleitern, die deutlich geringere Leistungsverluste bieten.
Im xEV-Bereich werden Leistungshalbleitermodule häufig in Leistungswandlungsgeräten wie Wechselrichtern für xEV-Antriebsmotoren eingesetzt. Zusätzlich zur Erweiterung der Reichweite von xEVs sind kompakte, leistungsstarke und hocheffiziente Module erforderlich, um Batterien und Wechselrichter weiter zu verkleinern. Aufgrund der hohen Sicherheitsstandards für xEVs müssen Leistungshalbleiter in Antriebsmotoren jedoch zuverlässiger sein als diejenigen, die in allgemeinen Industrieanwendungen verwendet werden.
Die Entwicklung dieser SiC-Produkte wurde teilweise von der japanischen New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO) unterstützt.
Quelle aus Green Car Kongress
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